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科学技術振興費事業ID: 21385

DX/GX両立に向けたパワーエレクトロニクス次世代化加速事業

文部科学省研究開発局環境エネルギー課開始: 2026年度

2025年度当初予算

-

2024年度執行: -

01

事業の目的・概要

事業の目的

電力変換・制御技術であるパワーエレクトロニクス(パワエレ)の次世代化加速による社会全体の省エネ化を促し、喫緊の課題であるDXとGXが両立した社会の実現に貢献する。

現状・課題

AIデータセンター需要の急伸等により消費電力量が急増していることから、DX化に伴う電力需要を賄うことが困難に陥る可能性が生じている。DX/GXを両立させ、我が国の産業競争力強化と持続的な社会の発展を実現するためには、次世代パワー半導体の力を引き出し社会全体の省エネ化を図ることが必要となっている。次世代パワー半導体の一つである窒化ガリウム(GaN)パワー半導体については、多様なデバイス製造の鍵となるイオン注入技術が未確立で、産業界の本格的な参入に向け、イオン注入技術の完成とその応用可能性の実証が必要である。また、GaNパワーデバイスのポテンシャルを引き出すためには回路設計や受動素子を含めたパワエレ機器トータルとしての複雑な最適化問題を解くことも必要不可欠な条件となっている。

事業の概要

GaNへのイオン注入技術を完成させるため、GaNへのイオン注入のメカニズムの学理的解明を進めるとともに、世界初のGaN専用高温高圧アニーリング装置を開発する。 さらに、イオン注入技術を応用して、超低損失なデバイス構造(超接合構造)等の作り込み技術を確立する 。また、AI・数理分野の知見・技術も取り入れつつ、研究者がチームを組んでGaNパワーデバイスの特性を引き出す回路・受動素子等を開発するとともに、GaNパワーデバイスを用いたパワエレ実機の試作・検証を行う。

02

予算・執行の年度推移

年度当初予算執行額
2025年度(当年度)--

執行率は当初予算ではなく、歳出予算現額合計を分母として算出しています。

03

2024年度実績支出先・契約情報

お金の流れ(ノード図)

担当組織文部科学省直接大学等-直接大学等-

支出先詳細

担当組織文部科学省
直接ブロック A

大学等

-

GaNパワーデバイス作り込み技術の研究開発

1

大学等①

随意契約(企画競争)
-
直接ブロック B

大学等

-

GaNパワエレ機器トータルとしての実証に係る研究開発の推進

1

大学等②

随意契約(企画競争)
-
04

点検・評価コメント

事業所管部局による点検・改善

本事業は、「地球温暖化対策計画(令和7年2月閣議決定)」、「新しい資本主義のグランドデザイン及び実行計画(令和7年6月閣議決定)」、「統合イノベーション戦略 2025(令和7年6月閣議決定)」等に掲げられた政策を実現するものであり、国が実施すべき事業である。支出先の選定に当たっては、公募を実施し、外部有識者により構成される審査委員会で選定することにより、その妥当性や競争性が確保されることを想定している。

改善の方向性

本事業の実施に当たっては、毎年度の進捗状況・取組実績等を報告書や調査により確認するとともに、中間評価及び事後評価を実施し、評価結果を踏まえた事業内容の改善・発展や、成果の普及・発信を行うことを想定している。

05

成果指標・目標値・実績値

アウトカム:事業が社会・対象者にもたらす変化アウトプット:事業活動の直接的な産出物
アウトカム

高温高圧アニーリング装置の完成、イオン注入技術の高度化

測定指標:査読付き論文数国際学会での発表件数[単位: ]

定量的な目標値・実績値は確認できません

アウトカム

試験用GaNパワーデバイスの提供体制の構築

測定指標:試験用GaNパワーデバイスの提供体制が構築されたか

定量的な目標値・実績値は確認できません

アウトカム

パワエレ機器トータルの視点からの統合的研究開発、AI数理分野の知見の活用

測定指標:査読付き論文数国際学会での発表件数[単位: ]

定量的な目標値・実績値は確認できません

アウトカム

イオン注入技術の応用による超接合構造の実証

測定指標:査読付き論文数国際学会での発表件数[単位: ]

定量的な目標値・実績値は確認できません

アウトカム

AI・数理分野の知見も活用した新たなパワエレ機器研究開発の実践

測定指標:AI・数理分野の知見も活用したパワエレ機器研究開発の在り方が実践されているか

定量的な目標値・実績値は確認できません

アウトカム

GaNパワー半導体へのイオン注入技術の完成、GaNのポテンシャルを引き出すパワエレ機器技術の確立、AI・数理分野の知見も活用した新たなパワエレ機器の研究開発の在り方を確立、社会全体の省エネ化、GXへの貢献

測定指標:特許出願件数(「GaNパワー半導体へのイオン注入技術の完成、GaNのポテンシャルを引き出すパワエレ機器技術の確立」に係る部分のみ)[単位: ]

定量的な目標値・実績値は確認できません

アウトプット

高温アニーリング装置の開発

測定指標:研究開発テーマ数企業との共同研究若手人材の参画[単位: ]

定量的な目標値・実績値は確認できません

アウトプット

イオン注入技術の高度化研究の推進

測定指標:研究開発テーマ数企業との共同研究若手人材の参画[単位: ]

定量的な目標値・実績値は確認できません

アウトプット

GaNパワーデバイスのポテンシャルを引き出すための回路設計・受動素子等分野横断した統合チームによる研究開発の推進

測定指標:研究開発テーマ数企業との共同研究若手人材の参画[単位: ]

定量的な目標値・実績値は確認できません

※ アクティビティ(活動の記述)2件は省略しています

06

費目・使途の内訳(補足情報)

費目・使途はCSV5-3由来の補足情報です。金額は契約内の支出の内訳であり、上記の2024年度執行額(CSV2)とは集計対象・範囲が異なります。事業全体の執行額の計算には使用しないでください。

(支出先不明)

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費目金額
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データ注記

本データは内閣府「行政事業レビュー」公開CSVから抽出・整理したものです。 金額は記載値(円)を百万円に換算して表示しています。支出先情報は主に2024年度実績支出として表示し、上位30件を表示しています。